24. November14:21

OSU setzt auf Aixtron-MOCVD für bahnbrechende Galliumoxid-Forschung in der Power-Elektronik

Admin User
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Ein Computersystem auf einem Glastisch mit einer Tafel davor, Broschüren auf der CPU und einem Holzboden im Hintergrund.

OSU setzt auf Aixtron-MOCVD für bahnbrechende Galliumoxid-Forschung in der Power-Elektronik

Die Ohio State University (OSU) hat sich für ein hochmodernes Metallorganisches Chemisches Gasphasenabscheidungssystem (MOCVD) des Herstellers Aixtron entschieden, um fortschrittliche Forschung an Galliumoxid voranzutreiben. Die Technologie, die im Nanotech-West-Labor der OSU installiert wurde, stellt einen bedeutenden Schritt in der Entwicklung von Power-Elektronik der nächsten Generation dar. Galliumoxid (Ga₂O₃) gilt zunehmend als ein entscheidendes Material für zukünftige Halbleiteranwendungen.

Das Close-Coupled-Showerhead®-System (CCS) von Aixtron ermöglicht das Wachstum hochwertiger Galliumoxid- und Aluminium-Galliumoxid-Dünnschichten auf 100-Millimeter-Substraten. Die Präzision des Systems sorgt für gleichmäßige Schichten – eine Grundvoraussetzung für Hochleistungselektronik. Diese Zusammenarbeit festigt Aixtrons Ruf als führender Anbieter von MOCVD-Technologie für Halbleiter mit extrem großer Bandlücke.

Die Installation des MOCVD-Systems von Aixtron an der OSU unterstreicht deren Rolle bei der Gestaltung der Zukunft der Power-Elektronik. Angesichts der wachsenden Bedeutung von Galliumoxid ist das Unternehmen gut positioniert, um Forschungsgeräte und Produktionssysteme für Halbleiter der nächsten Generation bereitzustellen. Dieser Schritt könnte den Weg in neue Märkte ebnen, sobald die Technologie in die kommerzielle Nutzung übergeht.